Перші модулі пам’яті наступного покоління, виготовлені по 30 нм технології були розроблені компанією
Elpida. Виробник стверджує, що йому вдалося створити пам’ять, що має учетверо більшу пропускну здатність – до 12.8 Гб/с.
При такому прорості швидкості, водночас енергоспоживання знижене на 50 відсотків, у порівнянні із модулями LPDDR2.
Затребуваною така пам’ять буде у абсолютної більшості всіх виробників портативної електроніки, але, у першу чергу, у виробників планшетів та смартфонів.
Перші партії нових 4-гігабітних модулів Wide IO Mobile RAM виробники отримають вже цього грудня, проте масове пришестя нової технології очікується наступного року.
На початку 2012 року компанія Elpida має намір також презентувати нові чотирьохшарові модулі пам’яті Mobile DRAM, які вміщуватимуть вже цілих 16 Гбіт.
