Ученые разработали технологию новых накопителей для мобильной электроники, которая найдет свое применение в современных устройствах – смартфонах, планшетах, ноутбуках, а также цифровых камерах.
В основе лежит резистивная память, которая позволяет делать ячейки памяти очень маленькими. Она работает на высокой скорости и позволяет создавать накопители большего объема, чем на базе флеш-технологии, которая в настоящее время является промышленным стандартом. Для резистивной памяти обычен накопитель, емкость которого исчисляется в терабайтах, а не в гигабайтах, как это сегодня привычно. Об этом пишет компания, предлагающая ремонт ноутбуков в Москве.
Скоро знание о том, как работает флешка займет место в учебниках истории. Ключевым моментом технологии является разработка нано-«островков» из оксида цинка, размещаемой на кремниевой основе. Это позволяет устранить второй элемент, именуемый устройством-переключателем, в роли которого часто выступает диод. Резистивная память обычно характеризуется металл-оксид-металлической структурой.
Учеными была продемонстрирована альтернатива, сформированная из нано-«островков», материалом для формирования которых является оксид цинка.
