Дослідники з тайванської компанії Macronix запропонували спосіб багатократного збільшення довговічності флеш-пам’яті.
Принцип роботи флеш-пам’яті заснований на зміні та реєстрації електричного заряду в ізольованій області («кишені») напівпровідникової структури. Однак цей процес пов’язаний з накопиченням незворотних змін в структурі, а тому кількість записів для осередку флеш-пам’яті обмежена (зазвичай близько 10 тис. раз для MLC-пристроїв).
Одна з причин деградації – неможливість індивідуально контролювати заряд плаваючого затвора в кожному осередку. Інша причина – взаємна дифузія атомів ізолюючих і провідних областей напівпровідникової структури, прискорена градієнтом електричного поля в області «кишені» і періодичними електричного пробою ізолятора при запису і стирання. Це призводить до розмивання меж і погіршення якості ізолятора.
Macronix пропонує збільшити термін служби флеш-пам’яті за рахунок застосування технології термічного відпалу (Thermal Annealing). Спеціальний нагрівальний елемент на нетривалий час (мілісекунди) підвищує температуру осередків до 800 ˚ C з гаком. Це призводить до самовідновлення структури пам’яті і збільшення терміну її експлуатації.
