Група японських учених, очолювана Кеном Такеучи (Ken Takeuchi), професором факультету науки і технології Університету Чуо, на семінарі International Memory Workshop в Мілані (Італія) анонсувала високоінтегріровану фазову (phase change memory) пам’ять PCM NAND.
Використання полісіліконових MOS-транзисторів дозволило зменшити теоретичну площу осередків пам’яті, а застосування довгих процедур стирання осередків відразу до цілих блоків пам’яті скоротило середній час доступу і знизило енергоспоживання. Додатково, група забезпечила підтримку високошвидкісної операції обнулення при запису (програмуванні) пам’яті. Завдяки цьому швидкість запису збільшена на 670%, а витрату енергії знижено на 70% в порівнянні з існуючими інтерфейсами RAM.
Новий спосіб функціонування спрощує застосування пам’яті PCM в додатках зберігання даних, але не дозволяє організувати довільний доступ.
Проблемою PCM NAND залишається можливість незапланованої зміни бітів в осередках при операції програмуванні через використання NAND-ланцюжка. За інформацією дослідників, щоб уникнути цього, струм включення повинен в чотири рази перевершувати мінімальний струм обнулення, а напругу скидання регістра необхідно збільшити, щонайменше, на 7%.
Ця робота виконувалася в рамках проекту, що спонсорується японською організацією NEDO (New Energy and Industrial Technology Development Organization).
